氮化镓外延片通常指的是在蓝宝石衬底上使用外延的方法生长GaN，一般有n-GaN，量子阱，p-GaN，是LED芯片的重要组成部分。随着全球3C、可穿戴设备等行业的加快速度进行发展，带动LED芯片需求持续攀升，进而推动氮化镓外延市场需求的快速攀升。

  根据新思界产业研究中心发布的《2020-2025年氮化镓外延片行业风险投资态势及投融资策略指引报告》显示，氮化镓外延片的研发生产前期投资的资金以及时间成本较大、生产需要的技术上的含金量高，属于资本技术密集型产业，目前在我国以及全球中生产企业较少，我国主要有聚力成、聚能晶源、苏州晶湛等；海外市场主要有NTTAT、DOWA、EpiGaN。

  聚力成是集氮化镓外延片制造、晶元制造、芯片设计、封装、测试于一体的氮化镓产业基地。聚力成是2018年9月，重庆政府和重庆捷舜科技有限公司合作的项目，目前主要由聚力成半导体（重庆）有限公司负责实施运营。聚力成项目技术在国内及国际上属于领头羊，产品性能好价格低，适用性很强，在2019年10月实现了量产，氮化镓外延片年产能约在24万片。

  聚能晶源企业专注于电力电子应用的外延材料的生产以及研究，在2018年12月，聚能晶源成功研制了世界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该项目生产的外延片实现了650V/700V高耐压，同时还能够保持高均匀性与高可靠性等性能，满足电子产业对于高压功率电子器件的应用需求。2019年9月，聚能晶源8英寸GaN外延项目一期建成，正式投产，年产能达到1万片6－8英寸GaN外延晶圆，已成为全世界领先的GaN外延材料专业制造商。

  苏州晶湛是我国最早的氮化镓（GaN）外延材料研发和产业化企业，在2014年实现了8英寸硅基氮化镓外延片产品的商业化，填补了国内乃至世界氮化镓产业的空白。目前苏州晶湛已经掌握了多项氮化镓外延片核心技术，累计申请了百余项专利。

  NTTAT(日本电信公司研究所)，拥有精确控制外延生长条件的技术，可提供高质量的4、6英寸氮化镓外延晶圆，大范围的使用在5G通讯、高效电力电子、射频功率、传感器等领域。目前公司已率先实现了8英寸硅基氮化晶圆工业量产，生产的基本工艺处于行业先进水平。

  EpiGaN是欧洲地区硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓外延片的重要生产企业。EpiGaN和欧洲航天局、博世、艾默生、IBM等多个企业达成合作，产品大范围的应用于5G通讯、高效电力电子、射频功率等多种领域。2019年Soitec半导体公司和EpiGaN达成最终收购协议，EpiGaN被整合成为Soitec的一个业务部门。

  新思界产业分析的人说，由于全球电子产业的加快速度进行发展，带动芯片行业加快速度进行发展，因此氮化外延片市场需求持续增长，行业发展前途较好。近几年国内投产的氮化镓外延片生产项目技术较为领先，产品已达到世界领先水平，未来在高端领域以及海外市场有较大发展空间。

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